因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試
因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。
▲圖1：接線
1.將探頭連接10X衰減器，并將衰減器插入同軸延長線；3.將示波器對應通道衰減比設置10X，將輸入電阻設置為50Ω；
4.給目標板上電；
▲圖2：測試場景1
▲圖3：測試場景2
1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號光滑無任何畸變；2.上管關斷瞬間負沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍；3.下管關斷瞬間引起的負沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全范圍；
（以上數據通過截屏讀數）
2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
