作為功率半導體廠商，為下游客戶提供典型應用方案似乎成行業內約定俗成的事。也就是說，作為半導體原廠不僅要設計好芯片，還要親自設計和驗證很多應用方案供下游客戶參考或者直接采用，以便讓自己的芯片能快速通過下游客戶的應用而占領市場。但是下游客戶面臨的應用場景復雜多樣，盡管芯片原廠提供了應用方案的原理圖、甚至是PCB參考設計，在下游客戶手中仍然會遇到各種各樣的技術難題而導致項目停滯不前。
每當這個時候，下游客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。
某氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源，因電源穩定性一直存在問題，導致其產品研制受阻；工程師尋求原廠FAE技術支持，因測試結果的數據與理論數據相差懸殊，原廠FAE懷疑客戶的測試手段可能存在問題，建議客戶采用麥科信公司的OIP系列光隔離探頭進行測試，讓客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對測試過程提供了技術支持。
測試背景：3C消費類產品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。
測試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析控制信號的時間及電壓是否滿足設計要求。
測試設備：示波器TO3004，光隔離探頭OIP200B，高壓差分探頭及無源探頭。
測試結果如下：
▲上管開啟（黃色光隔離探頭），下管關斷（藍色無源探頭）
▲上管關斷（黃色光隔離探頭），下管開啟（藍色差分探頭）
▲上管導通Vgs信號波形（光隔離探頭）
▲上管關斷Vgs信號波形（光隔離探頭）
從以上測試結果看，在開關導通和關斷的瞬間，盡管無源探頭測試的是下管信號，仍然有劇烈的震蕩，這是無源探頭不能抑制共模干擾導致的，而OIP光隔離探頭抑制了共模干擾，把真實的信號形態進行了呈現。
現場測試照片如下：
▲測試目標和接線
▲示波器波形畫面
后記
